肖特基二极管是利用金属-半导体接面作为肖特基势垒，以产生整流的效果，和一般二极管中由半导体-半导体接面产生的P-N结不同。肖特基势垒的特性使得肖特基二极管的导通电压降较低，而且可以提高切换的速度。
    肖特基二极管是一种使用多数载流子的半导体元件，若肖特基二极管是使用N型半导体，其二极管的特性是由多数载流子（即电子）所产生。多数载流子快速地由半导体穿过接面，注入另一侧金属的传导带，由于此过程不涉及N 型、P 型载流子的结合（随机反应而且需要时间较长），因此肖特基二极管停止导通的速度会比传统的二极管速度要快。这样的特性使得元件需要的面积可以减少，又进一步的减少切换所需的时间。在切换式电源供应器中常会用到肖特基二极管，因为肖特基二极体允许高速切换，电路可以在200kHz到2MHz的频率下操作，也就可以使用较小的电感器及电容器，同时可以提升电源供应器的效率。小体积的肖特基二极管最高可工作在50GHz的频率，因此是 RF （无线电频率）侦测器及 mixer（混频器） 中的重要零件。
    肖特基二极管缺点：
    肖特基二极管最大的缺点是其反向偏置较低及反向漏电流偏大，像使用硅及金属为材料的肖特基二极管，其反向偏置额定耐压最高只到 50V，而反向漏电流值为正温度特性，容易随着温度升高而急遽变大，实务设计上需注意其热击穿的隐忧。为了避免上述的问题，肖特基二极管实际使用时的反向偏置都会比其额定值小很多。不过目前肖特基二极管的技术也已有了进步，其反向偏置的额定值最大可以到200V。现行技术也可以制造出反向偏压更高的肖特基二极管，但是其导通电压也会升高到和普通二极管相同的水平，因此除非是需要高切换速度的场合，这种二极管在应用中没有优势。
    碳化硅肖特基二极管：
    碳化硅肖特基二极管是一种新型的肖特基二极管，与传统的硅管相比，其反向漏电流更低、反向耐压更高，但导通电压也更高（25°C时的导通电压为1.4-1.8 V）。但由于消除了反向恢复电流，这种二极管可将电源适配器的效率提高0.5%-1%，同时降低电磁干扰，允许缩小EMI滤波器的体积。时至2011年，市面上可购买到反向耐压高达1700V的产品。碳化硅肖特基二极管具有优良的热导率，温度因素对二极管的切换特征和温度特征只有很小的影响。特殊封装的碳化硅肖特基二极管可以在结温达500 K (约200 °C)时依然正常工作，用于航空领域时，仅靠被动辐射即可实现被动散热。