碳化硅是目前正在研究的半导体，已在快速切换、高温及高电压的应用上，进行前期的大量生产。第一个可用的元件是肖特基二极管、之后是结型场效应管及高速切换的功率MOSFET。目前正在开发双极性晶体管及晶闸管。
    碳化硅元件商品化的主要问题是如何去除缺陷：包括边缘位错、螺旋位错（空心和闭合）、三角形缺陷及基面位错。因此，虽然有许多研究设法要改善特性，但最早期SiC材料的元件，其反向电压阻隔能力不好[。除了晶体品质外，SiC和二氧化硅的界面问题也影响了SiC MOSFET及IGBT的发展。渗氮已大幅改善了界面问题，不过其机制还不清楚。
    2008年已有第一个商品化的JFET，额定1200V，之后是2011年第一个商品化的MOSFET，额定电压1200 V。SiC的开关以及SiC肖特基二极管（SBD）有常见的TO-247及TO-220封装外，许多厂商也开始将SiC裸晶放在功率模组中。
    SiC SBD二极管已用在功因修正电路上，以及IGBT功率模组中。像是国际集成功率电子系统大会（CIPS）等研讨会也会定期报告有关SiC功率元件的技术驱势。
    日本部分新造的大功率交传铁路车辆，以碳化硅取代IGBT用于牵引变流装置（如新干线ALFA-X和E235系），有助进一步减少车辆耗电。
    SiC功率元件的主要挑战有：
    闸极驱动电路：SiC功率元件的闸极驱动电路和硅半导体的电路不同，闸极驱动电路的电压是非对称的（例如+20 V和−5 V）。
    包装：SiC 裸晶的功率密度比硅半导体要高，其温度可以超过硅的上限150 °C。需要用到新的芯片连接技术（例如烧结）才能有效的将热从元件带出，并且确保有可靠的互连烧结 are required to efficiently get the heat out of the devices and ensure a reliable interconnection.