一、反应烧结主要特点：

此法与普通烧结法比较，有如下两个主要特点：
①提高制品质量，烧成的制品不收缩，尺寸不变化；
②反应速度快，传质和传热过程贯穿在烧结全过程。
普通烧结法物质迁移过程发生在坯体颗粒与颗粒的局部，反应烧结法物质迁移过程发生在长距离范围内。
分为液相反应烧结和气相反应烧结两类。采用前一类的居多。
例如，烧结氧氮化硅坯件时添加硅、二氧化硅和氟化钙(或氧化钙、氧化镁等，玻璃相形成剂)同氮反应生成二氮氧化二硅(Si2ON2)，氧化钙、氧化镁等同二氧化硅形成玻璃相，氮溶解在焙融体(玻璃相)中；Si2ON2，晶体从被氮饱和的玻璃相中析出。这样制出的氧氮化硅的密度可相当于理论密度90%以上。

二、反应烧结过程：
反应烧结，集合了合成以及致密化过程，能够通过高纯度粉体以热力学自发的原位步骤制备致密陶瓷。与常规烧结方法相比，反应烧结过程和反应烧结陶瓷的优点如下：
1）反应烧结能够在较低温度（≤1800℃）制备致密的超高温陶瓷。反应烧结过程中的化学反应高放热、且热力学自发进行，能够在相对较低温度下，产生足够能量和驱动力以达到Z终产品的致密化。另外，原位形成的相之间的化学兼容性和分散的均匀性也能够被保证。热力学计算表明，在反应烧结过
程中，大部分的反应满足自持续燃烧的条件（T绝热≥1800K，ΔH°298/CP298>2000K）。因此，在没有点火自持续燃烧情况下，低的加热速率（约1℃/min）
在选定的温度（600℃）延长保温时间（360min），会促进原料之间的反应。然而在有限的情况下，燃烧反应有利于致密化并促使Z终产品获得独特的微观结构。
2）反应烧结能够制备微观结构呈现各向异性的二硼化物基陶瓷，原位形成的相尺寸小、表面积大，具有很高活性。另外，可形成瞬态液相，促进质量输运和晶粒的各向异性生长。Z终获得的各向异性MeB2晶粒呈现棒状或片状，因为MeB2陶瓷为简单六方晶体，棒状或者是片状的晶粒生长都有可能：优先沿着c轴生长（棒状）或者是a和b轴优先生长（片状）。对于超高温陶瓷，仅仅有少数报道描述了这种现象。各向异性晶粒生长机制仍处于研究中。虽然如此，这种现象可以为超高温陶瓷的结构裁剪和性能提高提供参考。
过渡金属元素或者过渡金属氢化物，通常用作过渡金属源，以降低MeO2污染。硼源采用元素B或者是一些含B的化合物，如B4C和BN。另外，MeB2基陶瓷还可能包括其他相，例如，SiC，ZrC和MoSi2，含B化合物也会成为Z终产物的C或N源。使用MeO2作为起始粉还原合成MeB2的方法无法用于反应烧结。一个原因是，大部分还原反应是高吸热的，在促进致密化的温度（>1500℃）下，吉布斯自由能变成负值。还原反应也造成明显的气体释放，
尤其是B2O3，干扰致密化。另外，使用MeO2作为起始粉，通常会导致Z终陶瓷中有未参加反应的MeO2或其他的氧化物杂质的残留。因此，大部分反应烧结过程使用元素或者是非氧化物作为起始原料，这可将氧杂质降至Z低。

三、无锡市钱桥化工机械有限公司所生产的碳化硅换热器设备均使用无压烧结碳化硅。